2024-05-26 13:13:18 回答
手电筒发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其间心是PN结。因而它具有通常P-N结的I-N特性,即正导游通,反向截止、击穿特性。此外,在必定条件下,它还具有发光特性。在正向电压下,电子由N区写入P区,空穴由P区写入N区。进入对方区域的少量载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光,如图1所示。 假定发光是在P区中发作的,那么写入的电子与价带空穴直接复合而发光,或许先被发光中心捕获后,再与空穴复合发光
